第二章-半导体中杂质和缺陷能级#

1. 热平衡载流子：一定温度下，处于热平衡状态下的导电电子和空穴

2. 禁带变窄效应：当杂质能带与导带底相连时，形成新的兼并能带，它的尾部深入禁带中，使禁带变窄

3. $E_F$的意义：费米能级标志了电子 填充能级的水平

4. 晶格的伸张区，$E_g$减小；压缩区，$E_g$增大

5. 杂质与缺陷

   • 杂质：在半导体晶格中存在着与组成半导体材料的元素不同的其它化学元素的原子
   • 缺陷：在半导体的某些区域中，晶格中的原子周期性排列被破坏，形成缺陷
     1. 点缺陷：如空位，间隙原子
     2. 线缺陷：如位错
     3. 面缺陷：如层错

6. 施主杂质，施主能级和施主电离

   施主杂质：指掺入半导体后能够提供额外导电电子，并形成固定正电中心的杂质原子（如硅中的 V 族元素）

   施主能级：指施主杂质在禁带中靠近导带底位置所形成的、极易向导带激发电子的浅能级

   施主电离：指施主原子释放其受束缚的电子使其进入导带成为载流子，并使杂质原子自身变为带正电离子的过程