$SiHC{l}_3$氢还原法#

1. 制备：$\text{ce}Si+3HCl<=>[280-300^{\circ }C]SiHCl3+H2+309.2kJ/mol$
2. 提纯方法：
   1. 络合物形成法
   2. 固体吸附法
   3. 部分水解法
   4. 精馏法(常用):利用混合液中各组分的沸点不同(挥发性的差异)来达到分离各组分的目的
3. 三氯氢硅的氢还原 纯$SiHC{l}_3$与高纯$H_2$按比例送入还原炉，在1100℃温度下发生还原反应，制得高纯多晶Si：$\text{ce}SiHCl3+H2->[1100^{\circ }C]S{i}_{(多晶)}+3HCl$

$Si{H}_4$法(硅烷法)#

1. 制备：

   原料：硅化镁、氯化氨， 液氨作为溶剂和催化剂

   化学反应式： $\text{ce}Mg2Si+4NH4Cl->[\underset{\text{液氨}}{-30^{\circ }C}]SiH4+4NH3+2MgCl2+192.5kJ/mol$

2. 提纯：

   1. 低温精馏(因硅烷的沸点太低，所以需要深冷设备和良好的绝热装置，费用高)
   2. 吸附法(常用)

3. 硅烷热分解：把提纯后的硅烷在热分解炉中热分解温度控制在800℃以下

   化学反应式：

   $\text{ce}SiH4<=>[\Delta ]SiH2+H2$（初级分解） $\text{ce}SiH2<=>[\Delta ]Si+H2$（深度分解） $\text{ce}SiH2+H2=SiH4$（逆反应，在特定条件下发生）

   由以上化学式的分析后得出的结论：

   （1）热分解反应温度不能太低。

   （2）热分解产物之一氢气必须随时排除，以保证[H₂]不大的条件。

   （3）只有在一级反应条件下，才能保证分解速度快，即硅烷的热分解效率高。

锗资源（了解即可）#

锗富集#

• 富集：除去矿物中的杂质，提高矿物中有用成分含量
• 锗富集的两种方法：
  1. 火法
  2. 水法

过程：#

制取 $\text{ce}GeCl4$ → 精馏（或萃取）提纯 → 水解生成 $\text{ce}GeO2$ → 氢还原成 $\text{ce}Ge$ → 进一步区熔提纯成高纯 $\text{ce}Ge$